Холоднов Владислав Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О влиянии неоднородности поглощения сигнального излучения на частотную характеристику высокоомного примесного фоторезистора
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  742–749
2. О немонотонной зависимости времен жизни неравновесных носителей в полупроводниках от концентрации рекомбинационных центров
   
   Письма в ЖТФ, 18:1 (1992),  23–27
3. Шумы и отношение сигнала к шуму лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
   
   ЖТФ, 60:6 (1990),  121–127
4. Туннельные токи в лавинных гетерофотодиодах
   
   ЖТФ, 59:1 (1989),  80–91
5. О частотных свойствах изотипного контакта к высокоомному полупроводнику
   
   Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1747–1751
6. Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1148–1155
7. Характеристики фотоприемников с внутренним усилением на основе лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
   
   Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1889–1895
8. О соотношегии Миллера для коэффициентов лавинного умножения носителей в $p{-}n$-переходах
   
   Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1349–1355
9. О возможной связи между коэффиентами ударной ионизации электронов и дырок в полупроводниках
   
   Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  551–556
10. Напряжение лавинного пробоя тонкого диода
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2078–2081
11. Особенности сигнального и шумового токов продольных примесных фотопроводников в режиме ограничения фоном
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1925–1929
12. Спектральные характеристики примесных фоторезисторов в режиме ограничения фоном
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  294–299
13. Аномалии туннельного тока при лавинном пробое Р-П гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  362–367
14. Импеданс длинного диода при двойной инжекции носителей и слабом нарушении квазинейтральности
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1761–1765
15. О некоторых свойствах обратно смещенных фотодиодов с большим отношением коэффициентов ударной ионизации носителей
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  510–513


16. Tamara Balabekovna Chistyakova (to anniversary since birth)
    
    Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование, 12:4 (2019),  142–145