RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кайданов Виктор Израилевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  201–222
  2. Теплопроводность PbTe, легированного одновременно In и I

    Физика твердого тела, 33:5 (1991),  1597–1600
  3. Локальная туннельная спектроскопия теллурида свинца в сканирующем туннельном микроскопе

    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  36–40
  4. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  144–151
  5. Влияние радиационных дефектов, вызванных ионной имплантацией, на электронные свойства $\mathrm{PbTe}$

    Докл. АН СССР, 305:4 (1989),  844–847
  6. Исследование квазилокальных состояний таллия и индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии

    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  68–76
  7. Влияние дополнительного легирования различными примесями на сверхпроводящий переход в РbТе$\langle\text{Тl}\rangle$

    Физика твердого тела, 31:4 (1989),  268–270
  8. Электрофизические свойства пленок PbTe, облученных ионами аргона

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  352–355
  9. Термоэдс и удельное сопротивление оксидов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$

    Физика твердого тела, 30:10 (1988),  2955–2958
  10. Особенности явления самокомпенсации в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2043–2045
  11. Резонансные уровни в сильно компенсированном $p$-PbTe по данным ИК поглощения

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  349–352
  12. Электрофизические и оптические свойства $p\text{-PbTe}\langle\text{Ag}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  171–173
  13. Сверхпроводимость в теллуриде свинца с примесями таллия и лития

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1886–1887
  14. Особенности самокомпенсации акцепторного действия таллия в PbS

    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2210–2212
  15. Рассеяние носителей заряда на межблочных границах в монокристаллических пленках PbSe

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1909–1911
  16. Сверхпроводящий переход в тонких слоях PbTe, легированного таллием

    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1058–1062
  17. Влияние резонансного рассеяния носителей тока на кинетические коэффициенты в отсутствие магнитного поля

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1102–1103
  18. О влиянии примеси висмута на концентрацию свободных носителей в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  905–907
  19. Новый квазилокальный уровень в PbTe$\langle$Tl$\rangle$ с добавками сверхстехиометрического свинца

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  859–863
  20. Сверхпроводимость в системе PbTe$_{1-x}$Se$_{x}\langle$Tl$\rangle$

    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2513–2515
  21. Особенности самокомпенсации донорного действия галогенов в теллуриде свинца

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1857–1860
  22. Долговременная релаксация фотопроводимости в пленках теллурида свинца

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  530–531
  23. Влияние состава твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te на резонансные состояния таллия

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  268–271
  24. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$

    УФН, 145:1 (1985),  51–86
  25. Влияние давления на сверхпроводящий переход в РbТе, легированном таллием

    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3205–3207
  26. О возможности использования метода туннельной спектроскопии в магнитном поле для исследования зонной структуры PbTe

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2086–2088
  27. Особенности проводимости PbTe, легированного таллием

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1288–1290
  28. Самокомпенсация донорного действия висмута в теллуриде свинца

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  489–492
  29. Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$, легированных примесью таллия

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1948–1952
  30. Влияние резонансных состояний на эффект Холла и электропроводность в РbТе при одновременном легировании таллием и натрием

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1613–1617
  31. Влияние ИК подсветки на кинетические коэффициенты в пленках PbTe с потенциальными барьерами

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  934–936
  32. Имплантация ионов галлия в пленки PbSe

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  611–613

  33. Исправление опечатки

    УФН, 160:7 (1990),  169
  34. Чему учит книга “Мифы теории относительности”?

    УФН, 160:4 (1990),  97–101

© МИАН, 2024