Здоровейщев Антон Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt
   
   УФН, 193:3 (2023),  331–339
2. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
   
   Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
3. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
4. Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  1975–1983
5. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
6. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
   
   ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
7. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
8. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
   
   Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
9. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
10. Nanostructured SiGe:Sb solid solutions with improved thermoelectric figure of merit
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 11:6 (2020),  680–684
11. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
12. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb
    
    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
13. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
14. Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2344–2348
15. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
16. Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1628–1633
17. Формирование магнитных наноструктур с помощью зонда атомно-силового микроскопа
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1807–1812
18. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
19. Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1182–1188
20. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
21. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  52–55
22. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
23. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2158–2165
24. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
25. Investigation of the initial stages of spark-plasma sintering of Si-Ge based thermoelectric materials
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018),  622–630
26. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1455–1459
27. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
28. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
29. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
30. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2135–2141
31. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
32. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
    
    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
33. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
    
    ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
34. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1456–1461
35. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1447–1450
36. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
37. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  65–71
38. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2190–2194
39. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2186–2189
40. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
41. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1473–1478
42. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
43. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
44. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8