Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эффективность генерации излучения в полосе 8–14 нм ионами криптона при импульсном лазерном возбуждении
Квантовая электроника, 50:4 (2020), 408–413
-
Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1159–1163
-
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 345–350
-
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446
© , 2024