Андреев Вячеслав Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1067–1074
2. К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  915–921
3. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
4. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
5. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
6. Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения
   
   Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54
7. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
   
   Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
8. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
9. Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37
10. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26
11. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
12. Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  29–31
13. Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43
14. Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  14–16
15. Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33
16. Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  15–17
17. Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  52–54
18. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
19. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
20. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
21. Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах
    
    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  95–101
22. Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  105–110
23. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48
24. Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379
25. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
26. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246