RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Вендик Орест Генрихович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Усилитель мощности $X$-диапазона с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  20–26
  2. Моделирование распространения электромагнитных волн по поверхности человеческого тела

    ЖТФ, 86:12 (2016),  1–11
  3. Беспроводной мониторинг параметров состояния биологических объектов в микроволновом диапазоне (Обзор)

    ЖТФ, 86:1 (2016),  3–26
  4. Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом

    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  1–8
  5. Фазовращатель на пленке сверхпроводника, управляемый изменением температуры

    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  34–39
  6. Особенности применения метода ВИМС для исследования диэлектриков: заряд на поверхности образца в одномерной модели

    ЖТФ, 60:5 (1990),  136–141
  7. Глубина проникновения электромагнитного поля в сверхпроводниковые пленки нитрида ниобия

    ЖТФ, 60:5 (1990),  124–128
  8. Волноводный выключатель миллиметрового диапазона на основе сверхпроводниковой пленки

    Письма в ЖТФ, 16:13 (1990),  79–82
  9. Корреляция между структурным совершенством сегнетоэлектрических гетероэпитаксиальных пленок и СВЧ диэлектрическими потерями в них

    ЖТФ, 59:9 (1989),  173–176
  10. О высокочастотном поверхностном сопротивлении гранулированного сверхпроводника за порогом перколяции

    ЖТФ, 59:1 (1989),  107–112
  11. Остаточное сопротивление в феноменологической модели ВТСП

    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  72–77
  12. СВЧ поверхностное сопротивление сверхпроводящих пленок Y$-$Ba$-$Cu$-$O

    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  69–72
  13. Поверхностное сопротивление сверхпроводниковых пленок NbN

    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3344–3349
  14. Влияние теплоотвода на процесс образования нормальной области в широких пленках нитрида ниобия под действием тока

    ЖТФ, 58:6 (1988),  1198–1200
  15. Поверхностное сопротивление монокристаллической пленки Ho$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ на частоте 60 ГГц

    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2209–2210
  16. Влияние постоянного магнитного поля на ВЧ поверхностное сопротивление керамики Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$

    Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  2001–2004
  17. Феноменологическая модель биполярного сверхпроводника

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1098–1102
  18. Поверхностный импеданс сверхпроводниковых пленок Nb$-$Ge

    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2953–2958
  19. Влияние пленки сверхпроводника, помещенной в прямоугольный волновод, на условия распространения в нем основной моды

    ЖТФ, 57:10 (1987),  2026–2029
  20. Экспериментальное исследование сверхпроводниковых микрополосковых СВЧ линий

    ЖТФ, 57:10 (1987),  1930–1935
  21. Корректировка ошибки по полю зрения электронно-зондового прибора в режиме измерения потенциала на поверхности твердого тела

    ЖТФ, 57:7 (1987),  1453–1455
  22. Тепловая модель развития нормальной области в сверхпроводящей пленке с током

    ЖТФ, 57:4 (1987),  663–668
  23. Поверхностное сопротивление сверхпроводниковой керамики Ва(Рb, Вi)O$_{3}$

    ЖТФ, 56:2 (1986),  389–391
  24. Изменение параметров микрополосковой линии при ее переключении из сверхпроводящего в нормальнопроводящее состояние

    ЖТФ, 56:1 (1986),  173–177
  25. Электрическая нелинейность пленочного криотрона с лазерным управлением

    ЖТФ, 56:1 (1986),  167–172
  26. Граничное условие для динамической поляризации в сегнетоэлектрике

    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2769–2771
  27. Исследование ударной ионизации в монокристаллическом кремнии при $T$=4.2 K

    Физика твердого тела, 27:3 (1985),  931–932
  28. Время разрушения сверхпроводимости импульсным током в широких пленках ниобия

    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  69–72
  29. Размерные эффекты динамической поляризации в тонких слоях сегнетоэлектриков типа смещения

    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3094–3100
  30. Гистерезис диэлектрической проницаемости титаната стронция при 4.2 K

    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  684–689
  31. Сверхпроводниковый LC-контур на основе пленки ниобия

    ЖТФ, 54:10 (1984),  2070–2072
  32. Электронографическое исследование температурной зависимости параметра порядка в титанате стронция

    ЖТФ, 54:9 (1984),  1837–1839
  33. Применение дифференциального оператора нелокальной связи тока и поля к расчету поверхностного импеданса сверхпроводников и нормальных металлов

    ЖТФ, 54:8 (1984),  1494–1503
  34. Экранирование статического магнитного поля полым сверхпроводящим цилиндром при учете нелокальной связи между полем и током

    ЖТФ, 54:7 (1984),  1355–1357
  35. Исследование структуры, состава и морфологии монокристаллических пленок сегнетоэлектриков со структурой перовскита

    ЖТФ, 54:4 (1984),  772–777
  36. Вклад различных видов потерь в полное затухание сверхнаправленного излучателя

    ЖТФ, 53:3 (1983),  558–561
  37. Возможное уменьшение габаритов сверхнаправленного излучателя при использовании сверхпроводимости

    ЖТФ, 53:3 (1983),  556–558
  38. О максимальном значении основного параметра сквида, работающего в безгистерезисном режиме с СВЧ накачкой

    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  1007–1010
  39. Применение монокристаллов титаната стронция для контроля уровня жидкого гелия в сильных магнитных полях

    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  1005–1007
  40. Сегнетоэлектрические пленки (динамика мягкой моды, применение в технике СВЧ)

    УФН, 132:4 (1980),  698–700

  41. Электроника и приборы для научных работников

    УФН, 145:1 (1985),  180–181

© МИАН, 2024