|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изменение формы наноостровка при селективной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 43–46
-
Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий
Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 27–30
-
Зависимость скорости роста и структуры III–V нитевидных нанокристаллов от площади сбора адатомов на поверхности подложки
Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 37–40
-
MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition
Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 542
-
Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов
Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 15–18
-
Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла
Письма в ЖТФ, 46:18 (2020), 3–6
-
Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов
Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 26–29
-
Кинетика роста зародыша из нанофазы
Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 3–6
-
Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2437–2441
-
Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1480–1483
-
Дисперсия масштабно-инвариантных функций распределения по размерам
Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 3–9
-
Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1592–1594
-
Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации
Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 9–15
-
Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs
Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 95–102
-
Функция распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине
Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 44–50
-
Модель формирования осевых гетероструктур в III–V нитевидных нанокристаллах
Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 104–110
-
О новых микроскопических моделях кинетики кластеризации
Прикл. мех. техн. физ., 31:1 (1990), 3–9
© , 2024