|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 921–924
-
Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$
Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 91–96
-
Экспериментальное наблюдение дырок в $n$-GaAs, высвободившихся
в результате оже-распада локализованных состояний
Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 713–717
-
Эпитаксиальные слои GaAs с фоновым акцепторным легированием
Письма в ЖТФ, 17:2 (1991), 28–32
-
Резонансная экситонная люминесценция GaAs: переход от поляритонной модели к модели независимых экситонов и фотонов
Физика твердого тела, 32:6 (1990), 1801–1805
-
Нестехиометрия состава в пленках GaAs, выращенных методом газофазной
эпитаксии
ЖТФ, 60:11 (1990), 201–203
-
Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения
при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе
ЖТФ, 60:7 (1990), 143–150
-
Влияние обмена подложки с газовой фазой на кристаллизацию
из газотранспортной системы
ЖТФ, 60:3 (1990), 90–96
-
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида
галлия, выращенных на кремниевых подложках
Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1303–1305
-
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации
в эпитаксиальном $n$-GaAs
Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 82–92
-
Оптимизация режима роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной
системе
Письма в ЖТФ, 16:24 (1990), 77–82
-
Математическое моделирование процессов в хлоридных газотранспортных
реакторах
ЖТФ, 58:6 (1988), 1229–1233
-
Использование спектров поляритонной люминесценции
для характеристики качества кристаллов GaAs
Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1885–1888
-
Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых
тиристорных структур
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1134–1137
-
Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых
диодных структур
Письма в ЖТФ, 14:16 (1988), 1526–1530
-
Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади
Письма в ЖТФ, 14:13 (1988), 1153–1156
-
Доминирующие рекомбинационные центры в слоях
$n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы
Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 181–185
-
Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров
в высокочистом GaAs
Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1771–1777
-
Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах
Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 129–133
-
Поляритонная люминесценция GaAs
Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2688–2695
-
Влияние интенсивности возбуждения на люминесценцию поляритонов в арсениде галлия
Физика твердого тела, 28:1 (1986), 201–207
-
Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых
и кремниевых тиристоров
ЖТФ, 56:7 (1986), 1343–1347
-
Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров
Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 925–928
-
Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой
площади
Письма в ЖТФ, 10:23 (1984), 1430–1433
-
Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной
структуры
Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 385–388
-
Основные параметры включения
арсенид-галлиевых тиристоров
ЖТФ, 53:3 (1983), 573–575
-
Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах
Письма в ЖТФ, 9:9 (1983), 546–549
-
Силовые диоды с барьером Шоттки
на арсениде галлия
Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 414–417
© , 2024