Райх Михаил Элевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Подвижность электронов и термоэдс полупроводниковой сверхрешетки при рассеянии на фононах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2211–2214
2. Уширение экситонных линий в полумагнитном полупроводнике
   
   Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1708–1717
3. Локализация продольных мод на неоднородностях в резонаторе с распределенной обратной связью
   
   ЖТФ, 58:10 (1988),  1924–1932
4. Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл–полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1979–1985
5. Мезоскопическое поведение поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1262–1272
6. Прыжковая проводимость в контактах металл–полупроводник–металл
   
   Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  603–608
7. Температурная зависимость флуктуационных избыточных токов через контакт металл–полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  456–460
8. Низкотемпературная плотность состояний в бесщелевом полупроводнике в окрестности уровня Ферми
   
   Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2019–2022
9. Резонансное рассеяние и низкотемпературная подвижность электронов в бесщелевых растворах на основе HgTe
   
   Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1307–1316
10. Структура примесной зоны в бесщелевых соединениях типа Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика твердого тела, 28:1 (1986),  208–217
11. Флуктуационный механизм избыточных туннельных токов в обратно смещенных $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1217–1225
12. Флуктуационная модель перехода бесщелевой полупроводник–полупроводник при всестороннем сжатии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  237–243
13. Влияние упругих деформаций на взаимодействие электронов с флуктуациями состава в твердых растворах
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1508–1510
14. Уширение линии диамагнитного экситона в твердых растворах
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  106–113
15. Влияние флуктуаций концентрации примесей на высоту и туннельную прозрачность барьера
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1077–1084
16. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника с кейновским спектром
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  883–891
17. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах
    
    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  353–358