|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Ток Ричардсона$-$Дэшмана через границу двух сред с разными эффективными массами электронов
Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2655–2658
-
Образование электронно-дырочных пар и лавинный пробой
$p{-}n$-перехода при градиентах дрейфовых скоростей электронов и дырок
Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1366–1374
-
Ударная ионизация и лавинный пробой в $p{-}n$-переходах, находящихся
в неоднородном температурном поле
Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1361–1365
-
Ударная ионизация в МТДП структурах с внутренним усилением тока
Письма в ЖТФ, 18:12 (1992), 73–77
-
Дуальные датчики Холла
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1103–1106
-
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных
носителей заряда
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1067–1071
-
О механизме работы диодного стабилизатора тока
Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 416–420
-
Колоколообразные $C{-}V$ характеристики и отрицательная
дифференциальная проводимость МТДП структур
Письма в ЖТФ, 14:5 (1988), 400–404
-
Распределение электронно-дырочной плазмы в осциллирующем вдоль тока
магнитном поле
Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 748–751
-
Эффекты высокополевых углов в МТДП структурах
Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1572–1576
-
Полевое управление скоростью биполярного дрейфа носителей заряда
Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1248–1252
-
Индуктивный адмитанс МОП-структур
Письма в ЖТФ, 12:1 (1986), 55–59
-
Излучение электронно-дырочной плазмы, содержащей термический
градиентно-дрейфовый домен
Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1513–1515
-
Ослабление инжекции и эксклюзия, стимулированные магнитным полем
Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 687–691
-
Стимулированная магнитным полем эксклюзия носителей заряда
Письма в ЖТФ, 10:18 (1984), 1131–1135
-
Домен сильного поля в инжектированной электронно-дырочной плазме
германия
Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2079–2081
-
Холловский ток и его использование для исследования
полупроводников
Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 3–12
© , 2024