|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Природа нестабильности свечения в светоизлучающих
CaP : N-структурах
Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 454–460
-
Кинетика деградации красных AlGaAs светоизлучающих диодов
ЖТФ, 61:2 (1991), 98–103
-
Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции
зеленых GaP : N-светодиодов
Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1337–1348
-
Деградация зеленых Ga : P светоизлучающих диодов и факторы,
на нее влияющие
ЖТФ, 59:11 (1989), 134–138
-
О причинах деградации электролюминесценции красных
AlGaAs$-$GaAs гетероструктур
ЖТФ, 59:7 (1989), 175–178
-
Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов
в светоизлучающих GaAs : Si-структурах
Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1529–1538
-
Некоторые причины нестабильности свечения GaP : N светодиодов
Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1710–1716
-
Связь кинетики деградации $Ga\,P:N$, $Zn-O$ светодиодов с интенсивностью красной полосы свечения
Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1221–1227
-
Преобразование глубоких центров в процессе деградации
GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих диодов
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 701–707
-
Стимулированное ультразвуком изменение электрических и люминесцентных характеристик $In\,Ga\,As:Si$ световодов
Письма в ЖТФ, 12:2 (1986), 76–81
-
Эффект малых доз и деградационная стойкость $In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$ светоизлучающих диодов
Письма в ЖТФ, 11:18 (1985), 1114–1118
-
Избыточные токи и структурные дефекты
в In$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Si-светодиодах
Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1397–1402
© , 2024