Явич Б С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1760–1767
2. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
3. Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема «инжекционный лазер — полевой транзистор» на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  70–74
4. Математическое моделирование процессов нестационарного массопереноса в объеме газоэпитаксиального реактора при выращивании структур МОС-гидридным методом
   
   ЖТФ, 59:4 (1989),  149–153
5. Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1420–1425
6. Экспериментальное и численное исследование выращивания эпитаксиальных слоев GaAs и твердого раствора AlGaAs в горизонтальном реакторе при пониженном давлении
   
   Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  76–79
7. Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2111–2117
8. Флуктуации ширины квантовых ям и низкотемпературная фотолюминесценция GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структур, полученных МОС-гидридным методом
   
   Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1217–1220
9. Исследование GaAs$-$AlGaAs квантово-размерных структур, полученных МОС-гидридным методом
   
   Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  222–226
10. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
11. Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749
12. Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1327–1329
13. Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  981–983
14. Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  754–756
15. $N$-образная вольтамперная характеристика при электропоглощении в двойной гетероструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  703–706
16. Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  494–499
17. Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366
18. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
19. Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  506–509
20. Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором
    
    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186
21. Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735
22. Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga\,As$
    
    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  800–803
23. Исследование многослойных $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ структур на наклонных сечениях, изготовленных химическим травлением
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  21–24
24. Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1438–1445
25. Интенсивность спектра фотолюминесценции и времена испускания оптических фононов в кристаллах GaAs и гетероструктурах GaAs$-$GaAlAs
    
    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  104–109