Лазутка А С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1207–1213
2. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146
3. Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя
   
   Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1222–1226
4. Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров
   
   Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  205–210
5. Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$
   
   Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197
6. Генерация когерентного излучения и особенности волноводного ограничения в гетероструктурах GaSb$-$Ga$_{1-x}$In$_{x}$Bb$_{1-y}$As$_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1081–1085
7. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом
   
   Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
8. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки
   
   Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1047–1050
9. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью и накачкой инжекционным гетеролазером
   
   Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1043–1046