Никишин С А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Молекулярно-пучковая эпитаксия однодоменного арсенида галлия на (001) кремнии, пассивированном водородом
   
   Письма в ЖТФ, 18:2 (1992),  1–5
2. Измерение температуры поверхности подложки in situ при МПЭ GaAs (001) с применением ДОБЭ
   
   ЖТФ, 61:1 (1991),  174–178
3. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs на Si (001) поверхности, насыщенной водородом
   
   Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  19–23
4. Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 60:3 (1990),  123–128
5. Стабильность свойств (состав, структура) пассивированной водородом Si (001) поверхности в процессе предэпитаксиальной термообработки
   
   Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  66–69
6. Эволюция формы (00)-рефлекса картины ДОБЭ на начальных стадиях МПЭ GaAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  41–46
7. Особенности заращивания профилированной поверхности волновода в InGaAsP/InP лазерах с РОС
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  5–9
8. Диффузионная модель эпитаксиального роста твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As из ограниченного расплава
   
   ЖТФ, 58:2 (1988),  355–362
9. РОС — генерация в InGaAsP/InP ($\lambda=1. 5{-}1.6$ мкм) лазерах с составным активным слоем
   
   Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1082–1088
10. Особенности генерации в InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  267–273
11. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
12. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
13. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
14. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146
15. Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136
16. Влияние условий выращивания на параметры многоволновых ДГС лазеров
    
    ЖТФ, 56:6 (1986),  1142–1149
17. Жидкостная эпитаксия, контролируемая изменением температуры и тока (ЖЭКИТТ)
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  353–360
18. Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1222–1226
19. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
20. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
21. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
22. Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  205–210
23. Многоволновые лазерные излучатели на основе твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  1962–1966
24. $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1409–1413
25. Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968
26. Диффузионный перенос вещества в кристаллизующихся многокомпонентных растворах–расплавах
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2004–2010
27. Новые решения и применения электрожидкостной эпитаксии. II
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1128–1132
28. Новые решения и применения электрожидкостной эпитаксии. I
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  938–942
29. К анализу массопереноса при электрожидкостной эпитаксии арсенида галлия
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  538–544