Чудинов А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1217–1222
2. Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230$-$60 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  437–441
3. Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å
   
   Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211
4. Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1049–1054
5. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
6. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)
   
   Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
7. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью
   
   Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
8. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
9. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см
   
   Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
10. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
11. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045
12. Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108
13. Лазерные преобразователи коротковолнового излучения в инфракрасное на основе InGaAsP/InP ДГС (${\lambda=1.0{-}1.35}$ мкм, ${\eta_{D}=20}$%, ${T=300}$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  1010–1016
14. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2168–2172
15. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717
16. Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких уровнях возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  464–468