Водаков Ю А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние примесей и собственных дефектов на физико-механические свойства монокристаллов карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2748–2752
2. Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1857–1860
3. Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1008–1014
4. Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  107–110
5. ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4$H$ SiC
   
   Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3315–3326
6. Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1209–1216
7. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  762–766
8. Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  25–30
9. Фиолетовые светодиоды на базе гетероэпитаксиальных слоев 6H/4H${-}\text{SiC}\langle\text{Ga, N}\rangle$, выращенных сублимационным «сэндвич-методом»
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  19–22
10. Высокотемпературная люминесценция в $6H$-SiC, легированном Ga и N
    
    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  38–41
11. Катодолюминесценция SiC-6H, легированного Ga, при высоких уровнях возбуждения
    
    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  60–64
12. Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4H
    
    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2222–2226
13. Катодоусиление в p${-}$n переходах на карбиде кремния
    
    ЖТФ, 57:12 (1987),  2405–2407
14. Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1685–1689
15. Особенности высокотемпературной люминесценции эпитаксиальных слоев карбида кремния, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  207–211
16. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в нейтронно-облученном $6H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2153–2158
17. Возникновение дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в $6H$-SiC при генерации избыточных углеродных вакансий
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1433–1437
18. Катодоусиление в барьерах Шоттки на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1464–1468
19. Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  261–264
20. Ударная ионизация в политипах карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  814–818
21. Исследование шума лавинного фотодиода на основе $6H$-карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2146–2149
22. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  700–703
23. Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале с естественной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 10:5 (1984),  303–306
24. Определение концентрации примеси в карбиде кремния $n$-типа с помощью локального пробоя контакта металл–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1115–1118