|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния
Физика твердого тела, 30:9 (1988), 2606–2610
-
Особенности высокотемпературной люминесценции эпитаксиальных слоев
карбида кремния, легированных бором
Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 207–211
-
Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора в 6$H{-}$SiC
Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1659–1664
-
Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной
люминесценции со спектром $D_{1}$ в нейтронно-облученном
$6H$-SiC
Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2153–2158
-
Возникновение дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в $6H$-SiC
при генерации избыточных углеродных вакансий
Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1433–1437
-
Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния
Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 261–264
-
Диффузия, растворимость и ЭПР лития в карбиде кремния
Физика твердого тела, 27:11 (1985), 3479–3481
-
Отжиг радиационных дефектов в $n$-SiC ($6H$), обученном
нейтронами
Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2014–2019
-
Электрические свойства сильно легированного
$6H\text{-SiC}\langle\text{Al}\rangle$, облученного нейтронами
Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1911–1913
-
Прыжковая проводимость в $6H$-SiC, легированном Al
Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 115–118
© , 2024