Роенков А Д

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
2. Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1857–1860
3. Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1008–1014
4. Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  107–110
5. Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1209–1216
6. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  762–766
7. Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным «сэндвич$-$методом» в вакууме
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  33–37
8. Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  25–30
9. Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4H
   
   Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2222–2226
10. $P^{+}-\pi-N^{+}$-структуры на основе карбида кремния с двойной инжекцией
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1247–1251
11. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645
12. Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  261–264
13. Ударная ионизация в политипах карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  814–818
14. Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале с естественной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 10:5 (1984),  303–306