|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Применение маски As$_{2}$S$_{3}$/органический фоторезист
для реактивного ионного травления полупроводников A(III)B(V)
Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 85–90
-
Быстродействующий $p{-}i{-}n$
GaAs/AlGaAs фотоприемник, работающий в вентильном режиме
Письма в ЖТФ, 15:9 (1989), 88–93
-
Акустооптическое взаимодействие в волноводе $Ta_2\,O_5-Si\,O_2-Ga\,As$
Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1225–1227
-
Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 12:10 (1986), 577–582
-
Исследование температурной стабильности спектральных полос распределенного отражения в монолитно-гибридном брэгговском гетеролазере
Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 268–274
-
Спектральные и временные характеристики излучения монолитно-гибридных гетеролазеров с брэгговским зеркалом
Письма в ЖТФ, 11:10 (1985), 606–611
-
Исследование инжекционного брэгговского гетеролазера с высокой температурной стабильностью длины волны излучения
Письма в ЖТФ, 11:9 (1985), 524–530
-
Оптическая коммутация высокочастотного сигнала излучениемполупроводникового лазера
Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 53–56
-
Исследование пикосекундной фотопроводимости в полуизолирующем InP при
низких уровнях оптического возбуждения
Письма в ЖТФ, 10:6 (1984), 342–345
-
Влияние относительного спектрального положения полосы усиления
и линии генерации на динамику излучения гетеролазера с брэгговскими
зеркалами
Письма в ЖТФ, 10:3 (1984), 133–138
-
Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурной
стабильностью длины волны излучения
Письма в ЖТФ, 9:8 (1983), 456–460
© , 2024