Мишурный В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  58–62
2. Гетероэпитаксиальные волноводы $Al_{x}\,Ga_{1-x}\,P$ с параболическим профилем показателя преломления для гибридных интегрально-оптических систем
   
   Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1098–1103
3. Показатель преломления твердых растворов $Ga\,In\,As\,P$ на длине волны лазерной генерации
   
   Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  827–831
4. Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий
   
   Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  296–300
5. Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$
   
   Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197
6. Генерация когерентного излучения и особенности волноводного ограничения в гетероструктурах GaSb$-$Ga$_{1-x}$In$_{x}$Bb$_{1-y}$As$_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1081–1085
7. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом
   
   Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
8. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью и накачкой инжекционным гетеролазером
   
   Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1043–1046