Красовский В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181
2. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164
3. Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149
4. Времена собственных излучательных переходов в квантово-размерных гетероструктурах
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1816–1822
5. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
6. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
7. Природа неосновных примесных состояний в сильно легированных кристаллах
   
   Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1660–1666
8. 0.677  мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией
   
   Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1115–1118
9. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см
   
   Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
10. $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1409–1413
11. Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1655–1659