Синявский Д В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Получение Y$-$Ba$-$Cu$-$O ВТСП-пленок на Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 18:20 (1992),  85–89
2. Молекулярно-пучковая эпитаксия однодоменного арсенида галлия на (001) кремнии, пассивированном водородом
   
   Письма в ЖТФ, 18:2 (1992),  1–5
3. Измерение температуры поверхности подложки in situ при МПЭ GaAs (001) с применением ДОБЭ
   
   ЖТФ, 61:1 (1991),  174–178
4. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs на Si (001) поверхности, насыщенной водородом
   
   Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  19–23
5. Стабильность свойств (состав, структура) пассивированной водородом Si (001) поверхности в процессе предэпитаксиальной термообработки
   
   Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  66–69
6. Эволюция формы (00)-рефлекса картины ДОБЭ на начальных стадиях МПЭ GaAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  41–46
7. Диффузионная модель эпитаксиального роста твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As из ограниченного расплава
   
   ЖТФ, 58:2 (1988),  355–362
8. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках
   
   ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
9. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия
   
   Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
10. Влияние условий выращивания на параметры многоволновых ДГС лазеров
    
    ЖТФ, 56:6 (1986),  1142–1149
11. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
12. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
13. Многоволновые лазерные излучатели на основе твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  1962–1966
14. $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1409–1413
15. Диффузионный перенос вещества в кристаллизующихся многокомпонентных растворах–расплавах
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2004–2010