Кабыченков Александр Фёдорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Флексомагнитный и флексоантиферромагнитный эффекты в центроантисимметричных антиферромагнетиках
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1039–1043
2. Неоднородные эластомагнитоэлектрические эффекты в неупорядоченной среде
   
   Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013),  898–902
3. Магнитоэлектрический эффект в пленках гранатов с наведенной магнитной анизотропией в неоднородном электрическом поле
   
   Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  304–308
4. Цилиндрический магнитный домен в поле световой волны
   
   Физика твердого тела, 34:12 (1992),  3783–3785
5. Оптомагнитокалорический эффект
   
   Физика твердого тела, 34:12 (1992),  3781–3783
6. Особенности затухания акустических волн в поликристаллическом ЖИГ
   
   Физика твердого тела, 33:3 (1991),  675–680
7. Ударные акустические волны в легкоплоскостных магнетиках
   
   Физика твердого тела, 32:7 (1990),  2010–2014
8. Ориентационные фазовые переходы в легкоплоскостных магнетиках в поле упругой волны
   
   Физика твердого тела, 32:4 (1990),  1182–1185
9. Запоминание акустических сигналов в магнитной керамике
   
   ЖТФ, 60:7 (1990),  123–129
10. Спиновые волны в одноосном слабом ферромагнетике с продольной звуковой волной в плоскости базиса
    
    Физика твердого тела, 31:7 (1989),  193–202
11. Немонотонность проводимости инверсионных $p$-каналов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  369–374
12. Неоднородное состояние одноосного ферромагнетика в окрестности ориентационного фазового перехода (ОФП), обусловленное пространственной неоднородностью анизотропии
    
    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  202–203
13. Индуцированная звуком доменная структура в легкоплоскостных магнетиках
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  433–435
14. Низкотемпературная проводимость инверсионных слоев с большой плотностью поверхностных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  227–230
15. Тонкая структура зависимости электропроводности поверхностных каналов на $n$-Si от поперечного поля и особенности их перехода к режиму инверсии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1686–1688