Ясковец И И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О локализованных возбужденных состояниях центров с отрицательной корреляционной энергией в стеклах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1869–1873
2. Электронные свойства бистабильных дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1795–1799
3. Двухузельная модель дефектов типа $A$-центров
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1153–1157
4. Механизм реверсивных фотоиндуцированных эффектов в тонких пленках As$_{2}$S$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 31:8 (1989),  311–313
5. Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах кислорода в Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  914–916
6. Подвижность носителей тока в твердых растворах Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  48–51
7. Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами с сильным электрон-решеточным взаимодействием
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  547–550
8. Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  206–209
9. Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах Si$\langle$Ge$\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  562–565
10. Спектральные и термодинамические свойства электронов в щели по подвижности стеклообразных систем
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  470–480
11. Статистика носителей тока в $p$-Si с вакансиями
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1845–1848
12. К теории проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1725–1730
13. К теории эффекта Нернста–Эттингсгаузена в неоднородных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1691–1694