| RUS ENG |
| Полная версия |
|
|
|
| ПЕРСОНАЛИИ |
| Синицын Михаил Алексеевич |
| кандидат физико-математических наук (1987) |
МОС-гидридная эпитаксия гетероструктур на основе системы материалов $InAlGaN$ для создания высокоэффективных $InGaN/GaN$ светодиодов видимого диапазона и источников белого света, $AlInN/AlN/GaN$ и $AlGaN/AlN/GaN$ транзисторов с высокой подвижностью электронов и других полупроводниковых приборов на их основе.
