|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Мелкий акцепторный уровень марганца в антимониде галлия
Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 21–24
-
Особенности оптической ориентации электронов в сплавах
Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 32–35
-
Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа
GalnAsSb/GaSb
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1056–1061
-
Время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs,
облученном протонами
Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 89–93
-
Время жизни неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs,
облученном ионами кислорода
Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 352–354
-
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических
кристаллах $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$
Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 185–200
-
Внутризонное поглощение антимонида галлия $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 80–83
-
Влияние рассогласования зонных параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ на
скорость межзонной оже-рекомбинации в Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 495–498
-
Спиновое расщепление зоны проводимости в InP
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 347–350
-
Межзонная оже-рекомбинация с участием спин-орбитально отщепленной валентной зоны в кристаллах GaSb $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 25–34
-
Оптическая ориентация в деформированных полупроводниковых кристаллах при произвольном направлении деформации
Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1423–1428
-
Подвижность неравновесных электронов в кристаллах
GaAs $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 118–122
-
Примесная оже-рекомбинация в GaSb $n$-типа
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 750–752
-
Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs
Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3537–3542
© , 2024