Жадько И П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перераспределение концентрации инжектированных носителей заряда в искусственно анизотропной полупроводниковой пластине с кольцевыми электродами
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1723–1727
2. Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе
   
   Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1244–1250
3. Характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с анодно-окисленными поверхностями
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1100–1103
4. О спектральной зависимости фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te/CdTe с анодно-окисленной свободной поверхностью
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  629–635
5. Влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  871–875
6. Перераспределение электрического потенциала в искусственно анизотропной (по электропроводности) полупроводниковой пластине с кольцевыми электродами
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  409–412
7. Влияние пластической деформации на фотомагнитный эффект и фотопроводимость в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  85–89
8. Ориентационная зависимость проходных вольтамперных характеристик планарных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе Si
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1864–1867
9. Влияние индуцированной электрическим полем анизотропии электропроводности на вольтамперные характеристики фотопроводимости в $n$-Si при 77 K
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1185–1189
10. Некоторые электрофизические свойства тонких пластин $n$-Si, полученных методом анизотропного травления в растворе КОН
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2164–2167
11. Особенности исследования фотомагнитного эффекта в условиях комбинированного освещения полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1320–1322
12. Поперечный эффект Дембера в полупроводниках с неоднородной анизотропией электропроводности
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  40–43
13. Влияние разогревного концентрационного эффекта на характеристики осциллистора в Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1447–1451
14. О температурной зависимости параметров междолинной релаксации электронов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  642–645
15. Четный магнитоконцентрационный эффект в многодолинных полупроводниках и его влияние на осциллисторные колебания
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  300–304
16. Четный магнитоконцентрационный эффект в многодолинных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1049–1053