Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Барьеры Шоттки на арсениде галлия, предварительно обработанном
в парах селена
Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 22–26
-
Оценка поверхностной подвижности электронов в гетероструктуре арсенид
галлия–полупроводник со стехиометрическими вакансиями
Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1310–1312
-
Изолирующее покрытие для арсенида галлия
ЖТФ, 56:5 (1986), 913–915
-
Об определении поверхностной подвижности в МДП структуре с переносом заряда
Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 48–52
-
Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых
структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника
Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1739–1743
© , 2024