Макаров В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Некоторые эффекты, влияющие на профиль распределения внедренных ионов в кристаллических мишенях полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ после ионной имплантации
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  373–378
2. Применение высокоразрешающей спектроскопии упругого отражения для исследования дифракционных эффектов при взаимодействии быстрых электронов с монокристаллами
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  10–12
3. Электронный аналог метода обратного рассеяния быстрых ионов для исследования глубинных профилей дефектов в монокристаллах
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  30–33
4. Определение химического состава соединений по энергетическим спектрам упругого отражения быстрых электронов
   
   Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1043–1047
5. Влияние поверхностной диссоциации на свойства ионно-имплантированных $p$-слоев карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  170–172
6. Влияние нецентросимметричности кристаллической решетки на картины каналирования электронов
   
   Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  501–505
7. Исследование влияния режимов ионной имплантации и отжига карбида кремния на кристаллическую структуру и сопротивление слоев $p$-типа проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1098–1100
8. Термоупругие напряжения при импульсном отжиге кремния в миллисекундном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  747–750