Ивентьева О О

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
2. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
   
   Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537
3. Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного $n$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  110–113
4. Солнечные фотоэлементы на основе InP и твердых растворов Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$
   
   ЖТФ, 54:4 (1984),  862–864
5. Элементы каскадных солнечных фотопреобразователей на основе гетероструктур InP$-$GaInPAs и InP$-$CdS
   
   Письма в ЖТФ, 10:1 (1984),  51–55
6. Расчет каскадных солнечных элементов на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$
   
   ЖТФ, 53:10 (1983),  2025–2031
7. Исследование комплементарных $p{-}n{-}p$ и $n{-}p{-}n$ каскадных солнечных элементов
   
   ЖТФ, 53:2 (1983),  320–324
8. Фотоэлементы на основе гетеропереходов в системе Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  734–737