|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Основные закономерности распыления GaAs (001) ионами Ar$^{+}$
с энергией 1$-$9 кэВ
ЖТФ, 62:4 (1992), 162–170
-
Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной
гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP
ЖТФ, 60:3 (1990), 123–128
-
Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной
эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания
супертонких слоев $A^{3}B^{5}$
ЖТФ, 60:1 (1990), 165–169
-
Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями
InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1026–1030
-
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных
электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 653–659
-
Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при
бомбардировке Ar$^{+}$-ионами
Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 673–676
-
Жидкофазные
AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями
толщиной до $\sim20$ Å
Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 171–176
-
Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров
периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом
Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1745–1749
-
Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 132–136
-
Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев
${\leqslant20}$ Å
Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2206–2211
-
$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093
-
Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 533–537
© , 2024