RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Козлов В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. О математической модели нестационарного движения воды в створе реки Кубань

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 1,  43–51
  2. Влияние междолинного рассеяния носителей на продольную магнитопроводимость многодолинных материалов

    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  941–947
  3. О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном протонами

    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1507–1509
  4. О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)

    Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56
  5. Определение толщины буферного слоя в асимметричных одномодовых волоконных световодах

    Письма в ЖТФ, 18:4 (1992),  37–41
  6. Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  208–216
  7. О связи шумовых характеристик с эффективностью термоэлектрического преобразования

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1480–1482
  8. К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды

    Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  61–65
  9. Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  6–9
  10. Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)

    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  59–63
  11. Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1910–1914
  12. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125
  13. Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1733–1736
  14. Фонон-фононное увлечение в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  53–58
  15. Датчик вращения на основе деполяризующего одномодового световода

    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  321–325
  16. К теории анизотропии по знаку термоэдс фонон-фононного увлечения чистых массивных монокристаллов типа висмута

    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1823–1829
  17. К теории фононного увлечения в полупроводниках в продольном квантующем магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  295–299
  18. Влияние двухступенчатого увлечения носителей фононами на проводимость и максимум термоэдс в чистых полуметаллах с малой концентрацией носителей

    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1124–1129
  19. Невзаимные эффекты в неоднородных полупроводниковых структурах

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  655–660


© МИАН, 2024