Баграев Николай Теймуразович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
2. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
3. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
4. Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1663–1671
5. Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине
   
   ЖТФ, 90:9 (2020),  1502–1505
6. Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1331–1335
7. Термодинамическое описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Плотность состояний
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1651–1654
8. Осцилляции де Гааза–ван Альфена в кремниевой наноструктуре в слабых магнитных полях при комнатной температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1647–1650
9. Dielectric properties of oligonucleotides on the surface of Si nanosandwich structures
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  512
10. High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473
11. Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом
    
    Физика твердого тела, 58:6 (2016),  1176–1181
12. Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1353–1357
13. Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1230–1237
14. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054
15. Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484
16. Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011),  32–50
17. Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1949–1952
18. Метастабильность центра марганца в кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  870–878
19. Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1004–1007
20. Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний$-$германий
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  836–838
21. Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  481–490
22. Метастабильность центров марганца в твердых растворах кремний$-$германий
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  427–430
23. Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1613–1617
24. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654
25. Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе
    
    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  42–46
26. Магнитные свойства монокристаллов $\alpha$-LiIO$_{3}$, содержащих ионы редкоземельных элементов
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2814–2816
27. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573
28. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562
29. Реакции центров железа, индуцированные пиннингом уровня Ферми в кремнии $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1643–1645
30. Оптическая самокомпенсация донорных центров железа в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1098–1100
31. Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  525–531
32. Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084
33. Метастабильность фотоэмиссии из полупроводников с отрицательным сродством к электрону
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  329–334
34. Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1025–1029
35. Исследование отжига дислокационных оборванных связей в кремнии методом оптической поляризации ядерных моментов
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1190–1193
36. Оптическая поляризация ядерных моментов в кремнии с одномерными дефектами
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  634–637
37. Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов кремний–германий
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  745–747
38. Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169
39. Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161
40. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
41. Переход полупроводник–диэлектрик в слабо легированных термообработанных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  611–615
42. Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  568–573
43. Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121
44. Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928
45. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского
    
    ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208
46. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  83–85
47. Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882
48. Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1979–1984
49. Распад твердого раствора золота в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  276–280