RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гавалешко Н П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Структура края поглощения кубических халькогенидов кадмия и цинка

    Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2400–2406
  2. Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  945–947
  3. Электронная структура и степень ионности алмазоподобных полупроводников в приближении метода кристаллических функций компонентов

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  919–922
  4. Магнитные и электрические свойства Hg$_{1-x}$Eu$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Eu$_{x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  429–433
  5. Влияние одноосной деформации на энергетическиц спектр и гальваномагнитные явления в бесщелевом $p$-HgMnTe

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  117–124
  6. Теплоемкость и тепловое расширение твердых растворов селенидов ртути и кадмия в области 80$-$350 K

    Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1237–1240
  7. Перетекание электронов на примесный уровень в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  375–380
  8. Электрофизические свойства и механизмы рассеяния носителей заряда в Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  725–732
  9. Исследование природы внутрицентровых переходов в CdTe : Со

    Физика твердого тела, 27:4 (1985),  1124–1127
  10. Магнитное вымораживание дырок в Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2008–2013
  11. Магнитооптические осцилляции фарадеевского вращения в кристаллах InSe

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  765–767
  12. О возможности образования электронно-дырочных капель на нейтральных акцепторах в кристалле CdTe

    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3431–3433
  13. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$ в магнитном поле

    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  2943–2950
  14. Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1754–1757
  15. Зонные параметры твердых растворов Mg$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se и Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Se, определенные по минимуму плазменного отражения

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1542–1546
  16. Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор электронов проводимости в HgMnSe

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  990–993
  17. Тонкая структура основного состояния экситона в кристаллах InSe

    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  936–938
  18. Отрицательное магнитосопротивление кристаллов Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2095–2097
  19. Исправление к статье «Влияние анизотропии упругого электрон-фононного рассеяния на величину подвижности теллура» (ФТП, 17, 513, 1983)

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1722
  20. Влияние анизотропии упругого электрон-фононного рассеяния на величину подвижности теллура

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  513–515


© МИАН, 2024