|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структура края поглощения кубических халькогенидов кадмия и цинка
Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2400–2406
-
Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках со
стехиометрическими вакансиями
Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 945–947
-
Электронная структура и степень ионности алмазоподобных
полупроводников в приближении метода кристаллических функций компонентов
Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 919–922
-
Магнитные и электрические свойства Hg$_{1-x}$Eu$_{x}$Te
и Hg$_{1-x}$Eu$_{x}$Se
Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 429–433
-
Влияние одноосной деформации на энергетическиц спектр
и гальваномагнитные явления в бесщелевом $p$-HgMnTe
Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 117–124
-
Теплоемкость и тепловое расширение твердых растворов селенидов ртути и кадмия в области 80$-$350 K
Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1237–1240
-
Перетекание электронов на примесный уровень
в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se
Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 375–380
-
Электрофизические свойства и механизмы рассеяния носителей заряда в Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se
Физика твердого тела, 28:3 (1986), 725–732
-
Исследование природы внутрицентровых переходов в CdTe : Со
Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1124–1127
-
Магнитное вымораживание дырок в Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Te
Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2008–2013
-
Магнитооптические осцилляции фарадеевского вращения в кристаллах
InSe
Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 765–767
-
О возможности образования электронно-дырочных капель на нейтральных акцепторах в кристалле CdTe
Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3431–3433
-
Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$ в магнитном поле
Физика твердого тела, 26:10 (1984), 2943–2950
-
Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле
Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1754–1757
-
Зонные параметры твердых растворов Mg$_{x}$Hg$_{1-x}$Te,
Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se и Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Se,
определенные по минимуму плазменного отражения
Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1542–1546
-
Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор
электронов проводимости в HgMnSe
Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 990–993
-
Тонкая структура основного состояния экситона в кристаллах InSe
Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 936–938
-
Отрицательное магнитосопротивление кристаллов
Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Te
Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2095–2097
-
Исправление к статье «Влияние анизотропии упругого
электрон-фононного рассеяния на величину подвижности теллура»
(ФТП, 17, 513, 1983)
Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1722
-
Влияние анизотропии упругого электрон-фононного рассеяния
на величину подвижности теллура
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 513–515
© , 2024