RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бугай А А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Парамагнитные радиационные дефекты дырочной природы в LiNbO$_{3}$ : Mg

    Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2231–2233
  2. Влияние Ge на скорость прыжков донорных электронов в твердом растворе Si$-$Ge

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  890–895
  3. ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550$^{\circ}$C

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  118–120
  4. Частотная зависимость ширины линии ЭПР в аморфном кремнии в интервале $9\div130$ ГГц

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  872–874
  5. Влияние германия на свойства Si${-}S1$-центра в твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$

    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2217–2220
  6. Влияние одноосного давления на сверхтонкое взаимодействие фосфора в сплаве кремний-германий

    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  952–955
  7. Модели примесных центров Ni$^{+}$ и Cu$^{2+}$ в LiNbO$_{3}$

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  739–748
  8. Исследование свойств термодоноров-1 в кремнии $n$-типа при электронном облучении

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2117–2119
  9. Влияние закалки на свойства мелких доноров в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1884–1886
  10. ЭПР тензозондов в кремнии, легированном гадолинием

    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1824–1829
  11. Исследование методом ЭПР радиационных дефектов в TeO$_{2}$

    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  564–566
  12. ЭПР в кремнии, аморфизированном ионной имплантацией

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  257–262
  13. Изучение локальных искажений ячеечного потенциала доноров в сплаве Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ методами ЭПР и спин-решеточной релаксации

    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3338–3346
  14. Спин-решеточная релаксация в аморфном кремнии

    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  1939–1942
  15. Исследование радиационных дефектов в сплаве Si$-$Ge методом ЭПР и ИК спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2020–2023
  16. ЭПР в ионно-имплантированных слоях Si$-$SiO$_{2}$

    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3192–3193
  17. ЭПР и спин-решеточная релаксация ян-теллеровского центра Mn$^{+}$ в кремнии

    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1466–1472

  18. Памяти Михаила Федоровича Дейгена

    УФН, 125:4 (1978),  735–736


© МИАН, 2024