Матвеев Борис Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения
   
   Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197
2. Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
   
   ЖТФ, 90:5 (2020),  835–840
3. Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости
   
   ЖТФ, 89:8 (2019),  1233–1237
4. Светодиоды средневолнового ИК диапазона на основе гетероструктур A$^{3}$B$^{5}$ в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения 2014–2018
   
   Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  300–305
5. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  147–157
6. Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени
   
   ЖТФ, 88:9 (2018),  1433–1438
7. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m
   
   ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
8. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
9. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
10. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
11. Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16
12. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода
    
    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
13. Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs
    
    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3355–3361
14. Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  76–80
15. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
16. Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1244–1247
17. Профиль деформации в градиентных структурах InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs
    
    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2044–2048
18. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
19. Перераспределение остаточных напряжений при профилировании подложек в структурах InGaSbAs/GaSb
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  247–250
20. Проявления краевых искажений на рентгеновских топограммах изогнутых структур GaAsSbP/GaAs
    
    ЖТФ, 57:10 (1987),  2000–2004
21. Фотолюминесценция пластически деформированного $p$-GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1914–1915
22. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
23. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
24. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
25. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792
26. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
27. Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2031–2035
28. Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1172–1175
29. Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798
30. Дифракция рентгеновских лучей на пластически деформированных эпитаксиальных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1297–1301
31. Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  391–395