Попова Татьяна Борисовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
2. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
3. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
4. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62
5. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726
6. Получение кристаллов полиэлементных твердых растворов гексаборидов РЗМ
   
   Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  3–8
7. Исследование твердых растворов в системе CdTe$-$MnTe$-$MgTe
   
   Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2284–2286
8. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1639–1645
9. Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом
   
   ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754
10. Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  350–353
11. Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов полупроводников Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se с различной кристаллической структурой
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3743–3745
12. Спектры люминесценции суперионного проводника Na$_{5}$TbSi$_{4}$O$_{12}$
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1944–1946
13. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792