RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Уманский Владимир Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  271–275
  2. Прямое наблюдение пространственной неоднородности сверхпроводимости ВТСП пленок методом низкотемпературной растровой электронной микроскопии

    Письма в ЖТФ, 16:10 (1990),  47–51
  3. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм

    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32
  4. Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1416–1419
  5. Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1411–1415
  6. Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1803–1807
  7. Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при возбуждении электронным пучком

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2028–2032
  8. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1648–1653
  9. Пикосекундная растровая электронная микроскопия быстродействующих полупроводниковых приборов

    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1183–1186
  10. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792
  11. Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1049–1054
  12. Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах

    Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153
  13. Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP

    ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412
  14. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176

© МИАН, 2024