|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Квазиландауское осциллирующее магнитопоглощение ридберговских состояний экситона InP в «промежуточном» магнитном поле
Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1719–1734
-
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах
In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 493–503
-
Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP
Физика твердого тела, 32:4 (1990), 999–1006
-
«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия
Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1160–1163
-
Край оптического поглощения «чистых»
эпитаксиальных слоев InP
Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1156–1159
-
Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 201–206
-
Экситонные состояния в межзонном поглощении теллурида свинца при наличии магнитного поля
Физика твердого тела, 28:3 (1986), 855–861
-
Спектры поглощения и фотолюминесценции Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1214–1216
-
Параметры энергетических зон кристаллов арсенида индия
Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 718–720
-
Обнаружение экситонной люминесценции в кристаллах антимонида индия
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 532–534
-
Эффект фотопоглощения в спектрах диамагнитных экситонов
кристаллов InSb
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 501–503
© , 2024