Григорьев Б И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных тиристоров на основе гетероструктуры
   
   ЖТФ, 59:2 (1989),  156–158
2. Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  413–418
3. Быстродействие при включении биполярного гетеротранзистора с варизонным коллектором
   
   ЖТФ, 57:6 (1987),  1157–1160
4. Напряжение насыщения и коэффициент усиления по току $N^{+}{-}N{-}P{-}N^{+}$-гетеротранзисторов с варизонным коллектором
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  134–139
5. Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1270–1274
6. Теория стационарных режимов насыщения мощных высоковольтных составных транзисторов
   
   ЖТФ, 56:3 (1986),  547–551
7. Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1897–1900
8. Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  677–682
9. Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры
   
   Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  878–884
10. Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо легированного GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  167–169
11. Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1953–1956