RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Джуртанов Б Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb

    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  394–401
  2. Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  283–286
  3. Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  56–60
  4. Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1072–1078
  5. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  98–103
  6. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав$-$твердое тело в системах A$^{3}$B$^{5}$ (на примере In$-$Ga$-$As$-$Sb)

    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  67–73
  7. Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе GaInAsSb

    ЖТФ, 58:8 (1988),  1623–1626
  8. Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости ($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1839–1843
  9. Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675
  10. Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов

    ЖТФ, 57:2 (1987),  316–321
  11. Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  517–523
  12. Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  459–464
  13. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
  14. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом

    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668
  15. Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561

© МИАН, 2024