Астратов Василий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe
   
   Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3014–3023
2. Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами
   
   Физика твердого тела, 31:8 (1989),  212–220
3. Динамика экранирования электрического поля в фоторефрактивных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$
   
   Письма в ЖТФ, 14:14 (1988),  1330–1335
4. Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов
   
   Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3438–3445
5. Роль глубоких центров захвата в фотоэлектрических свойствах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
   
   Физика твердого тела, 28:3 (1986),  926–929
6. Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах
   
   Физика твердого тела, 26:9 (1984),  2843–2851
7. Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля
   
   Физика твердого тела, 26:3 (1984),  743–745
8. Определение параметров ловушек в высокоомных нецентросимметричных фотопроводниках методом оптического зондирования захваченного заряда
   
   Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3042–3048
9. Динамика распределения поля и заряда в Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при термической ионизации ловушек
   
   Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2755–2758
10. Влияние предварительного оптического возбуждения ловушек на процессы переноса заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2163–2168