Мельников Михаил Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О поздней стадии экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках
   
   Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3427–3430
2. Эволюция электрического поля в силикате висмута при локальном фотовозбуждении
   
   ЖТФ, 60:11 (1990),  94–103
3. Стационарное распределение электрического поля в кристаллах силленитов, одновременно облучаемых электронным и световым пучками
   
   ЖТФ, 60:6 (1990),  84–91
4. Релаксация фототока и электрического поля в МДП структуре на основе силиката висмута
   
   Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1780–1787
5. Роль глубоких центров захвата в фотоэлектрических свойствах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
   
   Физика твердого тела, 28:3 (1986),  926–929
6. Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля
   
   Физика твердого тела, 26:3 (1984),  743–745
7. Определение параметров ловушек в высокоомных нецентросимметричных фотопроводниках методом оптического зондирования захваченного заряда
   
   Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3042–3048
8. Динамика распределения поля и заряда в Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при термической ионизации ловушек
   
   Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2755–2758
9. Влияние предварительного оптического возбуждения ловушек на процессы переноса заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
   
   Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2163–2168