Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование краевого поглощения света в легированном GaAs
при комнатной температуре
Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 769–775
-
Поглощение света в тонких пленках GaAs, имплантированных ионами азота
и кислорода высокой энергии
Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1870–1875
-
Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 12:10 (1986), 577–582
© , 2024