Комиссаров А Б

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)
   
   Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76
2. Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110
3. Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)
   
   Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702
4. Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181
5. Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности
   
   Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663