Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров
гетероструктур с $p{-}n$-переходом в люминесцирующем материале
Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 143–150
-
Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах
Письма в ЖТФ, 13:24 (1987), 1481–1485
-
Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 719–723
© , 2024