Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах
Письма в ЖТФ, 13:24 (1987), 1481–1485
-
Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 719–723
-
Мезаполосковые
InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия
ЖТФ, 55:9 (1985), 1872–1876
© , 2024