Каряев В Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь — германием
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2219–2222
2. Поверхность арсенида галлия, легированного изовалентной примесью — сурьмой
   
   Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  43–47
3. Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом растворе GaAs$_{0.94}$Sb$_{0.06}$ $p$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  381–385
4. Высота барьера Шоттки Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  93–96
5. Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях
   
   Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  833–835
6. Вольтамперные характеристики поверхностно-барьерных структур Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1634–1639
7. Р-П структуры на основе твердых растворов $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности
   
   Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  764–767
8. Плотность дислокаций и параметры $p{-}n$ структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   ЖТФ, 55:11 (1985),  2280–2282
9. О влиянии дислокаций на величину обратного тока $p{-}n$-переходов в твердых растворах GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1205–1210