Иванов П А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
2. TCAD-моделирование высоковольтных 4$H$-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  201–206
3. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
4. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
5. Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138
6. Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода
   
   ЖТФ, 88:6 (2018),  955–958
7. Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1527–1531
8. Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1187–1190
9. Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  937–940
10. Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673
11. SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность
    
    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1913–1921
12. Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
    
    Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  1–5
13. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной
    
    Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  36–42
14. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
15. Температурная зависимость емкости карбид-кремниевых $p{-}n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1257–1260
16. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
17. Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур
    
    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  773–776
18. Исследование глубоких центров в $p{-}n$-переходах, полученных ионным легированием $6H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1430–1433
19. Туннельный диод на основе $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  976–978
20. Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  246–248
21. Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  238–241