Урсаки В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1725–1727
2. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1581–1583
3. Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1814–1817
4. Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1110–1112
5. Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения
   
   Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1179–1180
6. Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$»
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2131
7. Температурная зависимость края поглощения в соединениях CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1914–1916
8. Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1116–1118
9. Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом P$_{\text{In}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1310–1312
10. Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  810–813
11. Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1812–1815